V. Adivarahan: шукати на сайті Z-Library

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 319 KB

english, 2004

High-efficiency 269 nm emission deep ultraviolet light-emitting diodes

Adivarahan, V., Wu, S., Zhang, J. P., Chitnis, A., Shatalov, M., Mandavilli, V., Gaska, R., Khan, M. Asif

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 357 KB

english, 2004

Milliwatt power deep ultraviolet light-emitting diodes over sapphire with emission at 278 nm

Zhang, J. P., Chitnis, A., Adivarahan, V., Wu, S., Mandavilli, V., Pachipulusu, R., Shatalov, M., Simin, G., Yang, J. W., Khan, M. Asif

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 293 KB

english, 2002

Self-heating effects at high pump currents in deep ultraviolet light-emitting diodes at 324 nm

Chitnis, A., Sun, J., Mandavilli, V., Pachipulusu, R., Wu, S., Gaevski, M., Adivarahan, V., Zhang, J. P., Khan, M. Asif, Sarua, A., Kuball, M.

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 475 KB

english, 2002

Continuous Wave Milliwatt Power AlGaN Light Emitting Diodes at 280 nm

Sun, Wenhong, Adivarahan, Vinod, Shatalov, Maxim, Lee, Youngbae, Wu, Shuai, Yang, Jinwei, Zhang, Jianping, Khan, M. Asif

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 213 KB

english, 2004

[IEEE 2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest - MTT 2008 - Atlanta, GA, USA (2008.06.15-2008.06.20)] 2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest - RF large-signal model for SiO2/AlGaN/GaN MOSHFETs

Deng, J., Wang, W., Halder, S., Curtice, W. R., Hwang, J. C. M., Adivarahan, V., Khan, A.

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.17 MB

english, 2008

Optical power degradation mechanisms in AlGaN-based 280 nm deep ultraviolet light-emitting diodes on sapphire

Gong, Z., Gaevski, M., Adivarahan, V., Sun, W., Shatalov, M., Asif Khan, M.

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 391 KB

english, 2006

Vertical Injection Thin Film Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes with AlGaN Multiple-Quantum Wells Active Region

Adivarahan, Vinod, Heidari, Ahmad, Zhang, Bin, Fareed, Qhalid, Islam, Monirul, Hwang, Seongmo, Balakrishnan, Krishnan, Khan, Asif

Журнал:

Applied Physics Express

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 338 KB

english, 2009

Milliwatt power AlGaN quantum well deep ultraviolet light emitting diodes

A. Chitnis, V. Adivarahan, J. P. Zhang, M. Shatalov, S. Wu, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan, X. Hu, Q. Fareed, R. Gaska, M. S. Shur

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 107 KB

english, 2003

High-quality AlGaN layers over pulsed atomic-layer epitaxially grown AlN templates for deep ultraviolet light-emitting diodes

J. P. Zhang, H. M. Wang, W. H. Sun, V. Adivarahan, S. Wu, A. Chitnis, C. Q. Chen, M. Shatalov, E. Kuokstis, J. W. Yang, M. Asif Khan

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 667 KB

english, 2003

Ohmic Contact to High-Aluminum-Content AlGaN Epilayers

Surendra Srivastava, Seong Mo Hwang, Md. Islam, K. Balakrishnan, Vinod Adivarahan, Asif Khan

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 315 KB

english, 2009

GaN/AlGaN p-channel inverted heterostructure JFET

Shatalov, M., Simin, G., Jianping Zhang,, Adivarahan, V., Koudymov, A., Pachipulusu, R., Asif Khan, M.

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 207 KB

english, 2002

Pulsed modulation doping of Al x Ga 1-x N (x>0.6) AlGaN epilayers for deep UV optoelectronic devices

Chen, Hung-Chi, Ahmad, Iftikhar, Zhang, Bin, Coleman, Antwon, Sultana, Mahbuba, Adivarahan, Vinod, Khan, Asif

Журнал:

Physica status solidi

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 949 KB

english, 2014

Pseudomorphic Al x Ga 1-x N MQW based deep ultraviolet light emitting diodes over sapphire

Asif, Fatima, Chen, Hung-Chi, Coleman, Antwon, Ahmad, Iftikhar, Zhang, Bin, Dion, Joe, Heidari, Ahmad, Adivarahan, Vinod, Khan, Asif

Журнал:

Physica status solidi

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 601 KB

english, 2014

Thermal analysis of flip-chip packaged 280 nm nitride-based deep ultraviolet light-emitting diodes

Shatalov, M., Chitnis, A., Yadav, P., Hasan, Md. F., Khan, J., Adivarahan, V., Maruska, H. P., Sun, W. H., Khan, M. Asif

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 476 KB

english, 2005

Digital oxide deposition of SiO[sub 2] layers for III-nitride metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors

Adivarahan, V., Rai, S., Tipirneni, N., Koudymov, A., Yang, J., Simin, G., Asif Khan, M.

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 333 KB

english, 2006

SiO[sub 2]-passivated lateral-geometry GaN transparent Schottky-barrier detectors

Adivarahan, V., Simin, G., Yang, J. W., Lunev, A., Khan, M. Asif, Pala, N., Shur, M., Gaska, R.

Журнал:

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 371 KB

english, 2000

[IEEE IEEE International Symposium on Compound Semiconductors - San Diego, CA, USA (25-27 Aug. 2003)] 2003 International Symposium on Compound Semiconductors - Milliwatt operation of sapphire based 340 nm UV LEDs with quaternary AlInGaN quantum wells at room and cryogenic temperatures

Chitnis, A., Zhang, J., Adivarahan, V., Shatalov, M., Rai, S., Wu, S., Sun, J., Mandavilli, V., Khan, M.A.

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 86 KB

english, 2003

Temperature-Dependent RF Large-Signal Model of GaN-Based MOSHFETs

Jie Deng,, Weike Wang,, Halder, S., Curtice, W.R., Hwang, J., Adivarahan, V., Khan, M.A.

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 786 KB

english, 2008

324 nm Light Emitting Diodes with Milliwatt Powers

Chitnis, Ashay, Zhang, Jian Ping, Adivarahan, Vinod, Shuai, Wu, Sun, Jie, Shatalov, Maxim, Yang, Jin Wei, Simin, Grigory, Khan, Muhammad Asif

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 37 KB

english, 2002

Sub-Milliwatt Power III-N Light Emitting Diodes at 285 nm

Adivarahan, Vinod, Zhang, Jianping, Chitnis, Ashay, Shuai, Wu, Sun, Jie, Pachipulusu, Radhika, Shatalov, Maxim, Khan, Muhammad Asif

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 56 KB

english, 2002

Lateral Current Crowding in Deep UV Light Emitting Diodes over Sapphire Substrates

Shatalov, Maxim, Simin, Grigory, Adivarahan, Vinod, Chitnis, Ashay, Wu, Shuai, Pachipulusu, Radhika, Mandavilli, Vasavi, Simin, Kirill, Zhang, Jian Ping, Yang, Jin Wei, Khan, Muhammad Asif

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 245 KB

english, 2002

Micro-pixel Design Milliwatt Power 254 nm Emission Light Emitting Diodes

Wu, Shuai, Adivarahan, Vinod, Shatalov, Maxim, Chitnis, Ashay, Sun, Wen-Hong, Khan, M. Asif

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 157 KB

english, 2004

10 Milliwatt Pulse Operation of 265 nm AlGaN Light Emitting Diodes

Bilenko, Yuriy, Lunev, Alex, Hu, Xuhong, Deng, Jianyu, Katona, Thomas M, Zhang, Jianping, Gaska, Remis, Shur, Michael S, Sun, Wenhong, Adivarahan, Vinod, Shatalov, Maxim, Khan, Asif

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 406 KB

english, 2005

280 nm Deep Ultraviolet Light Emitting Diode Lamp with an AlGaN Multiple Quantum Well Active Region

Adivarahan, Vinod, Heidari, Ahmad, Zhang, Bin, Fareed, Qhalid, Hwang, Seongmo, Islam, Monirul, Khan, Asif

Журнал:

Applied Physics Express

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 610 KB

english, 2009

Non-catalyst growth and characterization of a -plane AlGaN nanorods

Mikhail E. Gaevski, Wenhong Sun, Jinwei Yang, Vinod Adivarahan, Ajay Sattu, Irina Mokina, Maxim Shatalov, Grigory Simin, M. Asif Khan

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 200 KB

english, 2006

MOCVD growth of semipolar AlxGa1−xN on m-plane sapphire for applications in deep-ultraviolet light emitters

K. Balakrishnan, M. Lachab, H. C. Chen, D. Blom, V. Adivarahan, I. Ahmad, Q. Fareed, M. A. Khan

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 514 KB

english, 2011

Luminescence of highly excited nonpolar a-plane GaN epilayers

S. Juršėnas, E. Kuokštis, S. Miasojedovas, G. Kurilčik, A. Žukauskas, C. Q. Chen, J. W. Yang, V. Adivarahan, M. Asif Khan, M. S. Shur

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 157 KB

english, 2005

Influence of stacking faults on the properties of GaN-based UV light-emitting diodes grown on non-polar substrates

C. Q. Chen, V. Adivarahan, M. Shatalov, M. E. Gaevski, E. Kuokstis, J. W. Yang, H. P. Maruska, Z. Gong, M. Asif Khan, R. Liu, A. Bell, F. A. Ponce

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 235 KB

english, 2005

White light generation using 280 nm light emitting diode pumps

M. Shatalov, S. Wu, V. Adivarahan, W.H. Sun, A. Chitnis, J. Yang, Yu. Bilenko, R. Gaska, M. Asif Khan

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 126 KB

english, 2005

Performance stability of high-power III-nitride metal-oxide semiconductor-heterostructure field-effect transistors

S. Saygi, H. Fatima, X. He, S. Rai, A. Koudymov, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 97 KB

english, 2005

High voltage operation of field-plated AlInN HEMTs

Qhalid Fareed, Ahmad Tarakji, Joseph Dion, Monirul Islam, Vinod Adivarahan, Asif Khan

Журнал:

IEEE Microwave and Wireless Components Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 249 KB

english, 2011

Determination of the average channel temperature of GaN MOSHFETs under continuous wave and periodic-pulsed RF operational conditions

Yanqing Deng, MD Monirul Islam, Mikhail Gaevski, Zijiang Yang, Vinod Adivarahan, Asif Khan

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 329 KB

english, 2008

High-power operation of III-N MOSHFET RF switches

Yang, Z., Koudymov, A., Adivarahan, V., Yang, J., Simin, G., Khan, M.A.

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 115 KB

english, 2005

[IEEE 2004 IEEE 35th Annual Power Electronics Specialists Conference - Aachen, Germany (20-25 June 2004)] 2004 IEEE 35th Annual Power Electronics Specialists Conference (IEEE Cat. No.04CH37551) - AlGaN/GaN MOSHFET integrated circuit power converter

Pytel, S.G., Lentijo, S., Koudymov, A., Rai, S., Fatima, H., Adivarahan, V., Chitnis, A., Yang, J., Hudgins, J.L., Santi, E., Monti, M., Simin, G., Khan, M.A.

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 573 KB

english, 2004

Deep ultraviolet light-emitting diodes using quaternary AlInGaN multiple quantum wells

Shatalov, M., Zhang, J., Chitnis, A.S., Adivarahan, V., Yang, J., Simin, G., Khan, M.A.

Журнал:

IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 269 KB

english, 2002

Double-Recessed High-Frequency AlInGaN/InGaN/GaN Metal–Oxide Double Heterostructure Field-Effect Transistors

Adivarahan, V., Gaevski, M.E., Islam, M.M., Bin Zhang, Yanqing Deng, Khan, M.A.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 272 KB

english, 2008

GaN/AlGaN multiple quantum wells on a-plane GaN pillars for stripe-geometry nonpolar ultraviolet light-emitting devices

Sun, W. H., Yang, J. W., Chen, C. Q., Zhang, J. P., Gaevski, M. E., Kuokstis, E., Adivarahan, V., Wang, H. M., Gong, Z., Su, M., Khan, M. Asif

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 471 KB

english, 2003

Visible light-emitting diodes using a-plane GaN–InGaN multiple quantum wells over r-plane sapphire

Chitnis, Ashay, Chen, Changqing, Adivarahan, Vinod, Shatalov, Maxim, Kuokstis, Edmundas, Mandavilli, Vasavi, Yang, Jinwei, Khan, M. Asif

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 456 KB

english, 2004

High-Temperature Performance of AlGaN/GaN MOSHEMT With $\hbox{SiO}_{2}$ Gate Insulator Fabricated on Si (111) Substrate

Husna, Fatima, Lachab, Mohamed, Sultana, Mahbuba, Adivarahan, Vinod, Fareed, Qhalid, Khan, Asif

Журнал:

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 691 KB

english, 2012

Pulsed lateral epitaxial overgrowth of aluminum nitride on sapphire substrates

Chen, Z., Qhalid Fareed, R. S., Gaevski, M., Adivarahan, V., Yang, J. W., Khan, Asif, Mei, J., Ponce, F. A.

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 577 KB

english, 2006

Stable CW operation of field-plated GaN-AlGaN MOSHFETs at 19 W/mm

Adivarahan, V., Yang, J., Koudymov, A., Simin, G., Khan, M.A.

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 117 KB

english, 2005

[IEEE 58th DRC. Device Research Conference - Denver, CO, USA (19-21 June 2000)] 58th DRC. Device Research Conference. Conference Digest (Cat. No.00TH8526) - Quaternary AlInGaN based vertically conducting light emitting diodes on SiC

Asif Khan, M., Adivarahan, V., Shatalov, M., Lunev, A., Yang, J.W., Simin, G., Gaska, R., Shur, M.S.

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 118 KB

english, 2000

High-power RF switching using III-nitride metal-oxide-semiconductor heterojunction capacitors

Simin, G., Koudymov, A., Yang, Z.-J., Adivarahan, V., Yang, J., Khan, M.A.

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 138 KB

english, 2005

Mechanism of current collapse removal in field-plated nitride HFETs

Koudymov, A., Adivarahan, V., Yang, J., Simin, G., Khan, M.A.

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 139 KB

english, 2005

III-nitride transistors with capacitively coupled contacts

Simin, G., Yang, Z.-J., Koudymov, A., Adivarahan, V., Yang, J., Asif Khan, M.

Журнал:

Journal of Physics D Applied Physics

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 359 KB

english, 2006

Enhancement of light extraction efficiency in sub-300nm nitride thin-film flip-chip light-emitting diodes

Lachab, M., Asif, F., Zhang, B., Ahmad, I., Heidari, A., Fareed, Q., Adivarahan, V., Khan, A.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 872 KB

english, 2013

Transport properties of SiO 2 /AlInN/AlN/GaN metal–oxide–semiconductor high electron mobility transistors on SiC substrate

Lachab, M, Sultana, M, Fareed, Q, Husna, F, Adivarahan, V, Khan, A

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 586 KB

english, 2014

[IEEE 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Montreal, QC, Canada (2009.04.26-2009.04.30)] 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium - Reliability issues in AlGaN based deep ultraviolet light emitting diodes

Khan, Asif, Hwang, Seongmo, Lowder, Jonathan, Adivarahan, Vinod, Fareed, Qhalid

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 299 KB

english, 2009

Tipirneni, N.., Adivarahan, V.., Simin, G.., Khan, A..

Журнал: